제조사부품번호

Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode, 180 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB019N08N3GATMA1

RS 제품 번호:: 220-7376
제조사 부품 번호:: IPB019N08N3GATMA1
제조업체:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode, 180 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB019N08N3GATMA1

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RS 제품 번호:: 220-7376
제조사 부품 번호:: IPB019N08N3GATMA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Product Type	MOSFET & Diode
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	TO-263
	Series	OptiMOS 3
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.9mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Product Type MOSFET & Diode
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type TO-263
	Series OptiMOS 3
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.9mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPB019N08N3GATMA1

The Infineon OptiMOS is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle).

Optimized technology for DC-DC converters

Excellent gate charge x R DS(ON) product (FOM)

Superior thermal resistance

Dual sided cooling

Low parasitic inductance

Low profile (<0,7mm)

N-channel, normal level

Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode, 180 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB019N08N3GATMA1

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