Infineon CoolMOS™ P7 Dual N-Channel MOSFET, 206 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IPW60R045P7XKSA1

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포장 옵션
RS 제품 번호:
219-6023
제조사 부품 번호:
IPW60R045P7XKSA1
제조업체:
Infineon
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브랜드

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

206 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolMOS™ P7

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.045 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

2

The Infineon 600V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

ESD ruggedness of ≥ 2kV (HBM class 2)
Integrated gate resistor RG
Rugged body diode
Wide portfolio in through hole and surface mount packages
Both standard grade and industrial grade parts are available

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


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