Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 80 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB80N04S2H4ATMA2
- RS 제품 번호:
- 217-2510P
- 제조사 부품 번호:
- IPB80N04S2H4ATMA2
- 제조업체:
- Infineon
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수량 | 한팩당 |
|---|---|
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- RS 제품 번호:
- 217-2510P
- 제조사 부품 번호:
- IPB80N04S2H4ATMA2
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | CoolMOS | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 129W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 51nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.31mm | |
| Width | 9.45 mm | |
| Height | 4.57mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series CoolMOS | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 129W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.31mm | ||
Width 9.45 mm | ||
Height 4.57mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon 40V, N-Ch, 3.7 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMO.
N-channel - Enhancement mode
Automotive AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Ultra low Rds(on)
100% Avalanche tested
Green product (RoHS compliant)