Vishay SiHB22N60EF Type N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

RS 제품 번호:: 188-4872
제조사 부품 번호:: SIHB22N60EF-GE3
제조업체:: Vishay

Vishay SiHB22N60EF Type N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

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100 - 150	₩3,587.04	₩179,314.40
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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	19A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-263
	Series	SiHB22N60EF
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	182mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	48nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	179W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	10.41mm
	Height	4.57mm
	Width	9.65 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 19A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-263
	Series SiHB22N60EF
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 182mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 179W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 10.41mm
	Height 4.57mm
	Width 9.65 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Vishay SiHB22N60EF Type N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

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