P-Channel MOSFET, 10 A, 30 V, 6-Pin SC-70-6L Vishay Siliconix SQA403EJ-T1_GE3
- RS 제품 번호:
- 178-3710
- 제조사 부품 번호:
- SQA403EJ-T1_GE3
- 제조업체:
- Vishay Siliconix
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| 수량 | 한팩당 | Per Reel* |
| 3000 - 3000 | ₩284.609 | ₩853,308.03 |
| 6000 - 9000 | ₩279.434 | ₩836,231.52 |
| 12000 + | ₩272.534 | ₩819,155.01 |
| *다른 단위에 대한 가격 표시 | ||
- RS 제품 번호:
- 178-3710
- 제조사 부품 번호:
- SQA403EJ-T1_GE3
- 제조업체:
- Vishay Siliconix
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
해당 안됨
- COO (Country of Origin):
- CN
제품 세부 사항
TrenchFET® power MOSFET
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사양
속성 | 값 |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Package Type | SC-70-6L |
| Series | TrenchFET |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Pin Count | 6 |
| Maximum Drain Source Resistance | 30 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Power Dissipation | 13.6 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Length | 2.2mm |
| Transistor Material | Si |
| Width | 1.35mm |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Height | 1mm |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |