Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-70-6L

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 reel of 3000 units)*

₩1,680,720.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 추가로 2025년 12월 29일 부터 3,000 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량
한팩당
릴당*
3000 - 3000₩560.24₩1,679,592.00
6000 - 9000₩548.96₩1,646,316.00
12000 +₩537.68₩1,613,040.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
178-3667
제조사 부품 번호:
SiA106DJ-T1-GE3
제조업체:
Vishay Siliconix
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Vishay Siliconix

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET

Package Type

SC-70-6L

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0185Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

19W

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.9nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1mm

Standards/Approvals

No

Width

1.35 mm

Length

2.2mm

Automotive Standard

No

제외

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg Figure-of-Merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS – Qoss

관련된 링크들