N-Channel MOSFET, 500 A, 75 V, 24-Pin SMPD IXYS MMIX1F520N075T2
- RS 제품 번호:
- 168-4790
- 제조사 부품 번호:
- MMIX1F520N075T2
- 제조업체:
- IXYS
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| 수량 | 한팩당 | Per Tube* |
| 20 - 20 | ₩26,118.436 | ₩522,372.166 |
| 40 - 60 | ₩25,335.331 | ₩506,699.724 |
| 80 + | ₩24,574.65 | ₩491,499.906 |
| *다른 단위에 대한 가격 표시 | ||
- RS 제품 번호:
- 168-4790
- 제조사 부품 번호:
- MMIX1F520N075T2
- 제조업체:
- IXYS
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series
For products that are Customized and under Non-cancellable & Non-returnable, Sales & Conditions apply.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
사양
속성 | 값 |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 500 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 75 V |
| Package Type | SMPD |
| Series | GigaMOS, HiperFET |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Pin Count | 24 |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.6 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Power Dissipation | 830 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Transistor Material | Si |
| Length | 25.25mm |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 545 nC @ 10 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Width | 23.25mm |
| Height | 5.7mm |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Forward Diode Voltage | 1.25V |