Vishay SIR680LDP N channel-Channel MOSFET, 130 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR680LDP-T1-BE3

N
모든 MOSFETs 열람하기
대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 tape of 1 unit)*

₩4,469.40

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
일시적 품절
  • 2027년 6월 16일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

Tape(s)
Per Tape
1 - 9₩4,469.40
10 - 24₩2,899.65
25 - 99₩1,526.85
100 - 499₩1,482.00
500 +₩1,439.10

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:
736-348
제조사 부품 번호:
SIR680LDP-T1-BE3
제조업체:
Vishay
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

130A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SIR680LDP

Package Type

PowerPAK SO-8

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0028Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

40nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.15mm

Width

5.15mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
IL
The Vishay N-Channel MOSFET is designed for high-efficiency power management in various applications. It operates efficiently at 80 V and excels in synchronous rectification and motor drive switching tasks.

Features a trenchFET Gen IV technology for improved power efficiency

Displays very low RDS(on) of 0.0028 Ω at 10 V, ensuring minimal conduction losses

Rated for a continuous drain current of 130 A, making it suitable for demanding applications

관련된 링크들