제조사부품번호

onsemi NXH Dual Silicon N/P-Channel MOSFET, 800 A, 1200 V, 11-Pin PIM11 NXH800H120L7QDSG

RS 제품 번호:: 277-059
제조사 부품 번호:: NXH800H120L7QDSG
제조업체:: onsemi

onsemi NXH Dual Silicon N/P-Channel MOSFET, 800 A, 1200 V, 11-Pin PIM11 NXH800H120L7QDSG

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RS 제품 번호:: 277-059
제조사 부품 번호:: NXH800H120L7QDSG
제조업체:: onsemi

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	onsemi
	Channel Type	N, P
	Maximum Continuous Drain Current	800 A
	Maximum Drain Source Voltage	1200 V
	Package Type	PIM11
	Series	NXH
	Mounting Type	Through Hole
	Pin Count	11
	Channel Mode	Enhancement
	Number of Elements per Chip	2
	Transistor Material	Silicon

	모두 선택
	브랜드 onsemi
	Channel Type N, P
	Maximum Continuous Drain Current 800 A
	Maximum Drain Source Voltage 1200 V
	Package Type PIM11
	Series NXH
	Mounting Type Through Hole
	Pin Count 11
	Channel Mode Enhancement
	Number of Elements per Chip 2
	Transistor Material Silicon

Datasheet - NXH800H120L7QDSG

COO (Country of Origin):: CN

The ON Semiconductor Half Bridge IGBT Power Module features integrated Field Stop Trench 7 IGBTs and Gen. 7 diodes, providing lower conduction and switching losses. This design enables high efficiency and superior reliability. The module is configured as a 1200V, 800A 2-in-1 half-bridge, making it ideal for applications that require robust performance and optimal power conversion efficiency.

NTC thermistor
Isolated base plate
Solderable pins
Low inductive layout
Pb free

onsemi NXH Dual Silicon N/P-Channel MOSFET, 800 A, 1200 V, 11-Pin PIM11 NXH800H120L7QDSG

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