STMicroelectronics MDmesh II Type N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD13NM60N
- RS 제품 번호:
- 151-952P
- 제조사 부품 번호:
- STD13NM60N
- 제조업체:
- STMicroelectronics
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수량 | 한팩당 |
|---|---|
| 50 - 95 | ₩4,001.40 |
| 100 - 495 | ₩3,705.00 |
| 500 - 995 | ₩3,412.50 |
| 1000 + | ₩3,279.90 |
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- RS 제품 번호:
- 151-952P
- 제조사 부품 번호:
- STD13NM60N
- 제조업체:
- STMicroelectronics
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제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 11A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | MDmesh II | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.36Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 2.4mm | |
| Length | 10.1mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 11A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series MDmesh II | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.36Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 2.4mm | ||
Length 10.1mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics Power MOSFET is developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
100% avalanche tested
Low input capacitance and gate charge
Low gate input resistance