제조사부품번호

Infineon F3L150R07W2E3B11BOMA1 IGBT Module, 650 A 150 V, 8-Pin Module, Panel

RS 제품 번호:: 273-7364
제조사 부품 번호:: F3L150R07W2E3B11BOMA1
제조업체:: Infineon

Infineon F3L150R07W2E3B11BOMA1 IGBT Module, 650 A 150 V, 8-Pin Module, Panel

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RS 제품 번호:: 273-7364
제조사 부품 번호:: F3L150R07W2E3B11BOMA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic	650A
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	150V
	Maximum Power Dissipation Pd	335W
	Package Type	Module
	Mount Type	Panel
	Pin Count	8
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	1.9V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	16.4mm
	Width	56.7 mm
	Length	62.4mm
	Standards/Approvals	UL (E83335)
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic 650A
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 150V
	Maximum Power Dissipation Pd 335W
	Package Type Module
	Mount Type Panel
	Pin Count 8
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.9V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 16.4mm
	Width 56.7 mm
	Length 62.4mm
	Standards/Approvals UL (E83335)
	Automotive Standard No

Datasheet - F3L150R07W2E3B11BOMA1

The Infineon IGBT module has 650 V VCES, 150 A continuous DC collector current 3 level phase leg phase leg IGBT module with TRENCHSTOP IGBT3, Emitter Controlled 3 diode, NTC and Press FIT Contact Technology. This IGBT module increased blocking voltage capability to 650V and available with Al2O3 substrate with low thermal resistance.

Low VCEsat

Compact design

Rugged mounting

Low inductive design

Low Switching Losses

Infineon F3L150R07W2E3B11BOMA1 IGBT Module, 650 A 150 V, 8-Pin Module, Panel

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