STMicroelectronics STGSB200M65DF2AG, NPN-Channel Single IGBT, 216 A 650 V, 9-Pin ECOPACK, Surface

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RS 제품 번호:
273-5094P
제조사 부품 번호:
STGSB200M65DF2AG
제조업체:
STMicroelectronics
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브랜드

STMicroelectronics

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

216A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Number of Transistors

2

Maximum Power Dissipation Pd

714W

Package Type

ECOPACK

Configuration

Single

Mount Type

Surface

Channel Type

NPN

Pin Count

9

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.05V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

5.5mm

Length

4mm

Standards/Approvals

UL1557

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics automotive-grade trench gate field-stop low-loss M series IGBT in an ACEPACK SMIT package. This device is an IGBT developed using an Advanced proprietary trench gate field stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential.

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Dice on direct bond copper (DBC) substrate

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