STMicroelectronics STGH30H65DFB-2AG Single IGBT, 60 A 650 V H2PAK-2
- RS 제품 번호:
- 248-4894P
- 제조사 부품 번호:
- STGH30H65DFB-2AG
- 제조업체:
- STMicroelectronics
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수량 | 한팩당 |
|---|---|
| 10 - 99 | ₩5,583.60 |
| 100 - 249 | ₩5,452.00 |
| 250 - 499 | ₩5,320.40 |
| 500 + | ₩5,188.80 |
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- RS 제품 번호:
- 248-4894P
- 제조사 부품 번호:
- STGH30H65DFB-2AG
- 제조업체:
- STMicroelectronics
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | STMicroelectronics | |
| Maximum Continuous Collector Current | 60 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V | |
| Maximum Power Dissipation | 260 W | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Configuration | Single | |
| Package Type | H2PAK-2 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 STMicroelectronics | ||
Maximum Continuous Collector Current 60 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage 20V | ||
Maximum Power Dissipation 260 W | ||
Number of Transistors 1 | ||
Configuration Single | ||
Package Type H2PAK-2 | ||
The STMicroelectronics product is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCEsat temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
AEC-Q101 qualified
High speed switching series
Safer paralleling
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Soft and very fast recovery antiparallel diode
High speed switching series
Safer paralleling
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Soft and very fast recovery antiparallel diode