제조사부품번호

Infineon AIKW50N65RF5XKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

RS 제품 번호:: 228-6510
제조사 부품 번호:: AIKW50N65RF5XKSA1
제조업체:: Infineon

Infineon AIKW50N65RF5XKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

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RS 제품 번호:: 228-6510
제조사 부품 번호:: AIKW50N65RF5XKSA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	80 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20.0V
	Maximum Power Dissipation	250 W
	Package Type	PG-TO247-3
	Pin Count	3
	Transistor Configuration	Single

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 80 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20.0V
	Maximum Power Dissipation 250 W
	Package Type PG-TO247-3
	Pin Count 3
	Transistor Configuration Single

Datasheet-AIKW50N65RF5XKSA1

The Infineon AIKW50N65RF5 is hybrid power discrete with SiC power technology with best cost-performance is the most important aspect for auxiliary applications in electric vehicles and hybrid vehicles. The hybrid of 650V TRENCHSTOP 5 AUTO fast switching IGBT and CoolSiC Schottky diode to enable a cost efficient performance boost for fast switching automotive applications such as on board charger, PFC, DC-DC and DC-AC.

Trenchstop 5 fast switching IGBT
Best in class efficiency in hard switching and resonant topologies
Low gate charge QG
Maximum junction temperature 175°C

Infineon AIKW50N65RF5XKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

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