Infineon IGW75N65H5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 75 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS 제품 번호:
- 218-4392
- 제조사 부품 번호:
- IGW75N65H5XKSA1
- 제조업체:
- Infineon
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- RS 제품 번호:
- 218-4392
- 제조사 부품 번호:
- IGW75N65H5XKSA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 75A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 198W | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.65V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 5.21mm | |
| Length | 21.1mm | |
| Width | 16.13 mm | |
| Series | IGW75N65H5 | |
| Standards/Approvals | JEDEC, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 75A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 198W | ||
Number of Transistors 1 | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.65V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 5.21mm | ||
Length 21.1mm | ||
Width 16.13 mm | ||
Series IGW75N65H5 | ||
Standards/Approvals JEDEC, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon TRENCHSTOP IGBT5 technology redefines best-in-class IGBT resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. It has collector emitter voltage of 650 V and collector current of 120 A.
Higher power density design
50V increase in the bus voltage possible without compromising reliability
Mild positive temperature coefficient
관련된 링크들
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- Infineon IKW75N65ET7XKSA1 IGBT 650 V PG-TO247-3
- Infineon IKW75N65EL5XKSA1 IGBT, 75 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon IKW75N65SS5XKSA1 Single IGBT Transistor Module, 75 A 650 V PG-TO247-3
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- Infineon IKW75N65EH5XKSA1 IGBT, 90 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3
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