제조사부품번호

Infineon IKB15N65EH5ATMA1 IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin PG-TO263-3

RS 제품 번호:: 215-6648
제조사 부품 번호:: IKB15N65EH5ATMA1
제조업체:: Infineon

Infineon IKB15N65EH5ATMA1 IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin PG-TO263-3

대량 구매 할인 기용 가능

Subtotal (1 pack of 5 units)*

₩20,868.00

재고있음

920 개 단위 배송 준비 완료

더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량	한팩당	한팩당*
5 - 5	₩4,173.60	₩20,868.00
10 - 95	₩4,068.32	₩20,341.60
100 - 245	₩3,966.80	₩19,834.00
250 - 495	₩3,872.80	₩19,364.00
500 +	₩3,771.28	₩18,856.40

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

RS 제품 번호:: 215-6648
제조사 부품 번호:: IKB15N65EH5ATMA1
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기

모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	30 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20 V, ±30 V
	Maximum Power Dissipation	105 W
	Package Type	PG-TO263-3
	Pin Count	3

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 30 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V, ±30 V
	Maximum Power Dissipation 105 W
	Package Type PG-TO263-3
	Pin Count 3

Datasheet-IKB15N65EH5ATMA1

The Infineon high speed switching insulated-gate bipolar transistor copacked with full rated current rapid 1 antiparallel diode also has 650v breakdown voltage.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

Infineon IKB15N65EH5ATMA1 IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin PG-TO263-3

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.

관련된 링크들