IXYS MII75-12A3 Series IGBT Module, 90 A 1200 V, 7-Pin Y4 M5, Panel Mount
- RS 제품 번호:
- 168-4475
- 제조사 부품 번호:
- MII75-12A3
- 제조업체:
- IXYS
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| 24 + | ₩153,579.921 | ₩921,476.078 |
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- RS 제품 번호:
- 168-4475
- 제조사 부품 번호:
- MII75-12A3
- 제조업체:
- IXYS
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
IGBT Modules, IXYS
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IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
사양
속성 | 값 |
|---|---|
| Maximum Continuous Collector Current | 90 A |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Package Type | Y4 M5 |
| Configuration | Series |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Channel Type | N |
| Pin Count | 7 |
| Transistor Configuration | Series |
| Dimensions | 94 x 34 x 30mm |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |