Infineon IRS21814STRPBF, 1.8 A 20V, SOIC

본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.

대량 구매 할인 기용 가능
View bulk pricing options

Subtotal (1 pack of 2 units)*

₩7,440.00

Add to Basket
수량 선택 또는 입력
재고있음
  • 추가로 2026년 8월 24일 부터 4,976 개 단위 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.

수량
한팩당
한팩당*
2 - 8₩3,720.00₩7,440.00
10 - 98₩3,350.00₩6,700.00
100 - 248₩3,140.00₩6,280.00
250 - 498₩2,690.00₩5,380.00
500 +₩2,540.00₩5,080.00

* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다

포장 옵션
RS 제품 번호:
258-4008
제조사 부품 번호:
IRS21814STRPBF
제조업체:
Infineon
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택

브랜드

Infineon

Product Type

Gate Driver Module

Output Current

1.8A

Fall Time

35ns

Package Type

SOIC

Rise Time

40ns

Minimum Supply Voltage

10V

Maximum Supply Voltage

20V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Series

IRS

Automotive Standard

No

The Infineon high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high-side and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3 V logic. The output drivers feature a high Pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600 V.

Gate drive supply range from 10 V to 20 V

Under voltage lockout for both channels

3.3 V and 5 V input logic compatible

Matched propagation delay for both channels

Logic and power ground +/- 5 V offset

Lower di/dt gate driver for better noise immunity

Output source/sink current capability 1.4 A/1.8 A

RoHS compliant

관련된 링크들