제조사부품번호

Infineon 4 kB FRAM 8-Pin SOIC

RS 제품 번호:: 215-5778
제조사 부품 번호:: FM24C04B-GTR
제조업체:: Infineon

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수량	한팩당	Per Tube*
2500 - 2500	₩2,145.08	₩5,364,580.00
5000 - 7500	₩2,103.72	₩5,257,420.00
10000 +	₩2,039.80	₩5,099,500.00

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RS 제품 번호:: 215-5778
제조사 부품 번호:: FM24C04B-GTR
제조업체:: Infineon

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Infineon
	Memory Size	4kB
	Product Type	FRAM
	Organisation	512 x 8 bit
	Data Bus Width	8bit
	Maximum Random Access Time	10ns
	Mount Type	Surface
	Maximum Clock Frequency	1MHz
	Package Type	SOIC
	Pin Count	8
	Standards/Approvals	No
	Height	1.48mm
	Length	4.97mm
	Width	3.98 mm
	Maximum Operating Temperature	85°C
	Number of Words	512
	Number of Bits per Word	8
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Supply Voltage	5.5V
	Minimum Supply Voltage	4.5V
	Automotive Standard	AEC-Q100

	모두 선택
	브랜드 Infineon
	Memory Size 4kB
	Product Type FRAM
	Organisation 512 x 8 bit
	Data Bus Width 8bit
	Maximum Random Access Time 10ns
	Mount Type Surface
	Maximum Clock Frequency 1MHz
	Package Type SOIC
	Pin Count 8
	Standards/Approvals No
	Height 1.48mm
	Length 4.97mm
	Width 3.98 mm
	Maximum Operating Temperature 85°C
	Number of Words 512
	Number of Bits per Word 8
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Supply Voltage 5.5V
	Minimum Supply Voltage 4.5V
	Automotive Standard AEC-Q100

Datasheet - FM24C04B-GTR

The Cypress Semiconductor FM24C04B is a 4-Kbit non-volatile memory employing an advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or F-RAM is non-volatile and performs reads and writes similar to a RAM. It provides reliable data retention for 151 years while eliminating the complexities, overhead, and system-level reliability problems caused by EEPROM and other non-volatile memories.

4-Kbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically organized as 512 x 8

High-endurance 100 trillion (1014) read/writes

151-year data retention

NoDelay™ writes

Advanced high-reliability ferroelectric process

Infineon 4 kB FRAM 8-Pin SOIC

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