onsemi MJD112G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin DPAK

RS 제품 번호:: 121-6413
제조사 부품 번호:: MJD112G
제조업체:: onsemi

onsemi MJD112G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin DPAK

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RS 제품 번호:: 121-6413
제조사 부품 번호:: MJD112G
제조업체:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

속성	값
Transistor Type	NPN
Maximum Continuous Collector Current	2 A
Maximum Collector Emitter Voltage	100 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Package Type	DPAK (TO-252)
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Number of Elements per Chip	1
Minimum DC Current Gain	1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	4 V
Maximum Collector Base Voltage	100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	3 V
Maximum Collector Cut-off Current	20µA
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	20 W
Width	6.22mm
Height	2.38mm
Length	6.73mm
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.38mm

onsemi MJD112G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin DPAK

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

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