Nexperia Transistor, -5 A PNP, -40 V, 4-Pin SOT-223
- RS 제품 번호:
- 518-2034P
- 제조사 부품 번호:
- PBSS5540Z,115
- 제조업체:
- Nexperia
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|---|---|
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- RS 제품 번호:
- 518-2034P
- 제조사 부품 번호:
- PBSS5540Z,115
- 제조업체:
- Nexperia
사양
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제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
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모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Nexperia | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | -5A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | -40V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 40V | |
| Maximum Transition Frequency ft | 120MHz | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 6V | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 50 | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 4 | |
| Height | 1.65mm | |
| Length | 6.7mm | |
| Series | PBSS5540Z | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Nexperia | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc -5A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -40V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 40V | ||
Maximum Transition Frequency ft 120MHz | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 6V | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Minimum DC Current Gain hFE 50 | ||
Transistor Polarity PNP | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 4 | ||
Height 1.65mm | ||
Length 6.7mm | ||
Series PBSS5540Z | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in Compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.