Infineon RF Bipolar Transistor, 20 mA NPN, 15 V, 3-Pin TSFP-3-1
- RS 제품 번호:
- 261-3950
- 제조사 부품 번호:
- BFR340FH6327XTSA1
- 제조업체:
- Infineon
본 이미지는 참조용이오니 재확인이 필요하시면 문의해주세요.
대량 구매 할인 기용 가능
Subtotal (1 reel of 3000 units)*
₩456,300.00
일시적 품절
- 2026년 12월 07일 부터 배송
더 자세한 내용이 필요하신가요? 필요한 수량을 입력하고 '배송일 확인'을 클릭하면 더 많은 재고 및 배송 세부정보를 확인하실 수 있습니다.
수량 | 한팩당 | 릴당* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | ₩152.10 | ₩455,130.00 |
| 6000 + | ₩148.20 | ₩441,675.00 |
* 참고 가격: 실제 구매가격과 다를 수 있습니다
- RS 제품 번호:
- 261-3950
- 제조사 부품 번호:
- BFR340FH6327XTSA1
- 제조업체:
- Infineon
사양
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
제품 정보를 선택해 유사 제품을 찾기
모두 선택 | 제품 정보 | 값 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 20mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 15V | |
| Package Type | TSFP-3-1 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 15V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 75mW | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Transition Frequency ft | 14GHz | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 90 | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 110°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Series | BFR | |
| Length | 1.2mm | |
| Height | 0.55mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| 모두 선택 | ||
|---|---|---|
브랜드 Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 20mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 15V | ||
Package Type TSFP-3-1 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration NPN | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 15V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 75mW | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Transition Frequency ft 14GHz | ||
Minimum DC Current Gain hFE 90 | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 110°C | ||
Pin Count 3 | ||
Series BFR | ||
Length 1.2mm | ||
Height 0.55mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon low profile silicon NPN RF bipolar transistor, is a low noise device based on Si that is part of Infineon’s established third generation RF bipolar transistor family. Its low current and high breakdown voltage characteristics make the device suitable for oscillators applications for frequencies as high as 3.5 GHz. It remains cost competitive without compromising on ease of use.
Low noise amplifiers for FM and AM radio
Minimum noise figure