제조사부품번호

Toshiba Bipolar Transistor, 200 mA NPN, 50 V, 3-Pin SOT-23

RS 제품 번호:: 236-3586
제조사 부품 번호:: TBC847B,LM(T
제조업체:: Toshiba

Toshiba Bipolar Transistor, 200 mA NPN, 50 V, 3-Pin SOT-23

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RS 제품 번호:: 236-3586
제조사 부품 번호:: TBC847B,LM(T
제조업체:: Toshiba

참조 문서

제정법과 컴플라이언스

제품 세부 사항

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모두 선택	제품 정보	값
	브랜드	Toshiba
	Product Type	Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	200mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	50V
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	60V
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	6V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	320mW
	Transistor Polarity	NPN
	Minimum DC Current Gain hFE	200
	Pin Count	3
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	0.95mm
	Series	TBC847
	Length	2.9mm
	Width	2.4 mm
	Automotive Standard	No

	모두 선택
	브랜드 Toshiba
	Product Type Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 200mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 50V
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration Single
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 60V
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 6V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 320mW
	Transistor Polarity NPN
	Minimum DC Current Gain hFE 200
	Pin Count 3
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 0.95mm
	Series TBC847
	Length 2.9mm
	Width 2.4 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - TBC847B,LM(T

The Toshiba bipolar transistor MADE up of the silicon material and having NPN epitaxial type. It is mainly used in low frequency amplifiers.

Storage temperature range −55 to 150 °C

Toshiba Bipolar Transistor, 200 mA NPN, 50 V, 3-Pin SOT-23

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