N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 6-Pin SC-70-6L Vishay Siliconix SiA106DJ-T1-GE3
- RS 제품 번호:
- 178-3901P
- 제조사 부품 번호:
- SiA106DJ-T1-GE3
- 제조업체:
- Vishay Siliconix
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₩941.795
| 수량 | 한팩당 |
| 750 - 1490 | ₩941.795 |
| 1500 + | ₩927.996 |
- RS 제품 번호:
- 178-3901P
- 제조사 부품 번호:
- SiA106DJ-T1-GE3
- 제조업체:
- Vishay Siliconix
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
해당 안됨
- COO (Country of Origin):
- CN
제품 세부 사항
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
Very low RDS - Qg Figure-of-Merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS – Qoss
Very low RDS - Qg Figure-of-Merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS – Qoss
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사양
속성 | 값 |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Package Type | SC-70-6L |
| Series | TrenchFET |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Pin Count | 6 |
| Maximum Drain Source Resistance | 20 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Power Dissipation | 19 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Length | 2.2mm |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Transistor Material | Si |
| Width | 1.35mm |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.9 nC @ 10 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Height | 1mm |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |