Dual N-Channel MOSFET, 6 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay Siliconix SQS966ENW-T1_GE3
- RS 제품 번호:
- 178-3727
- 제조사 부품 번호:
- SQS966ENW-T1_GE3
- 제조업체:
- Vishay Siliconix
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| 3000 - 12000 | ₩586.466 | ₩1,757,845.59 |
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- RS 제품 번호:
- 178-3727
- 제조사 부품 번호:
- SQS966ENW-T1_GE3
- 제조업체:
- Vishay Siliconix
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
해당 안됨
- COO (Country of Origin):
- CN
제품 세부 사항
TrenchFET® power MOSFET
For products that are Customized and under Non-cancellable & Non-returnable, Sales & Conditions apply.
사양
속성 | 값 |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Series | TrenchFET |
| Package Type | PowerPAK 1212-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Pin Count | 8 |
| Maximum Drain Source Resistance | 60 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Power Dissipation | 27.8 W |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Width | 3.15mm |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6.2 nC @ 10 V |
| Transistor Material | Si |
| Length | 3.15mm |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Height | 1.07mm |