N-Channel MOSFET, 60 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay Siliconix SiSS12DN-T1-GE3
- RS 제품 번호:
- 178-3701
- 제조사 부품 번호:
- SiSS12DN-T1-GE3
- 제조업체:
- Vishay Siliconix
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₩765.856
| 수량 | 한팩당 | Per Reel* |
| 3000 - 3000 | ₩765.856 | ₩2,296,014.39 |
| 6000 - 9000 | ₩750.332 | ₩2,250,477.03 |
| 12000 + | ₩734.807 | ₩2,205,457.14 |
| *다른 단위에 대한 가격 표시 | ||
- RS 제품 번호:
- 178-3701
- 제조사 부품 번호:
- SiSS12DN-T1-GE3
- 제조업체:
- Vishay Siliconix
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
해당 안됨
- COO (Country of Origin):
- CN
제품 세부 사항
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
Very low RDS(on) in a compact and thermally enhanced package
Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss
Very low RDS(on) in a compact and thermally enhanced package
Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss
For products that are Customized and under Non-cancellable & Non-returnable, Sales & Conditions apply.
사양
속성 | 값 |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 60 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Series | TrenchFET |
| Package Type | PowerPAK 1212-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Pin Count | 8 |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.4V |
| Maximum Power Dissipation | 65.7 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +20 V |
| Width | 3.15mm |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
| Transistor Material | Si |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Length | 3.15mm |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Height | 1.07mm |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |