N-Channel MOSFET, 14.2 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay Siliconix SiS110DN-T1-GE3
- RS 제품 번호:
- 178-3693
- 제조사 부품 번호:
- SiS110DN-T1-GE3
- 제조업체:
- Vishay Siliconix
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₩374.303
| 수량 | 한팩당 | Per Reel* |
| 3000 - 3000 | ₩374.303 | ₩1,122,392.43 |
| 6000 - 9000 | ₩367.404 | ₩1,100,141.22 |
| 12000 + | ₩358.779 | ₩1,077,890.01 |
| *다른 단위에 대한 가격 표시 | ||
- RS 제품 번호:
- 178-3693
- 제조사 부품 번호:
- SiS110DN-T1-GE3
- 제조업체:
- Vishay Siliconix
참조 문서
제정법과 컴플라이언스
해당 안됨
- COO (Country of Origin):
- CN
제품 세부 사항
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM
Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM
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사양
속성 | 값 |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 14.2 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Package Type | PowerPAK 1212-8 |
| Series | TrenchFET |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Pin Count | 8 |
| Maximum Drain Source Resistance | 70 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Power Dissipation | 24 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Width | 3.15mm |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.5 nC @ 10 V |
| Length | 3.15mm |
| Height | 1.07mm |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |