IXYS IXDN55N120D1 IGBT, 100 A 1200 V, 4-Pin SOT-227B, Surface Mount
- RS 제품 번호:
- 168-4761
- 제조사 부품 번호:
- IXDN55N120D1
- 제조업체:
- IXYS
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| 수량 | 한팩당 | Per Tube* |
| 10 - 40 | ₩46,658.545 | ₩466,590.625 |
| 50 + | ₩41,992.691 | ₩419,933.805 |
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- RS 제품 번호:
- 168-4761
- 제조사 부품 번호:
- IXDN55N120D1
- 제조업체:
- IXYS
제정법과 컴플라이언스
- COO (Country of Origin):
- US
제품 세부 사항
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
사양
속성 | 값 |
|---|---|
| Maximum Continuous Collector Current | 100 A |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 450 W |
| Package Type | SOT-227B |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Channel Type | N |
| Pin Count | 4 |
| Switching Speed | 1MHz |
| Transistor Configuration | Single |
| Dimensions | 38.2 x 25.07 x 9.6mm |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |