- RS 제품 번호:
- 192-635
- 제조사 부품 번호:
- IXGT30N120B3D1
- 제조업체:
- IXYS
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- RS 제품 번호:
- 192-635
- 제조사 부품 번호:
- IXGT30N120B3D1
- 제조업체:
- IXYS
제정법과 컴플라이언스
제품 세부 사항
IGBT Discretes, IXYS
For products that are Customized and under Non-cancellable & Non-returnable, Sales & Conditions apply.
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
사양
속성 | 값 |
---|---|
Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Package Type | TO-268 |
Mounting Type | Surface Mount |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Dimensions | 16.05 x 14 x 5.1mm |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |